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本發明涉及一種碳化硅晶體生長用高純碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高純液態或溶膠狀態的含硅有機物和高殘炭率的有機物為原料、通過液相充分混合后干燥為固相態作為固相合成前驅體的前驅體處理工序。本發明將簡單易得的有機物作為碳源和硅源來使用，因此...該專利屬于上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所所有，僅供學習研究參考，未經過上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所授權不得商用。