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本發(fā)明公開了一種用于DNA檢測的多電極納米孔裝置及其制造方法，該納米孔裝置包括第一SiO2絕緣層、Si基底、SiO2掩膜層、Pt門電極、第二SiO2絕緣層、微米Pt徑向電極、第三SiO2絕緣層、腐蝕槽、納米通孔、電子束誘導(dǎo)沉積SiO2柵極絕...該專利屬于東南大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過東南大學(xué)授權(quán)不得商用。