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本發明提供一種利用直拉區熔法制備太陽能級硅單晶的方法：在區熔階段的等徑生長工藝中，在區熔硅單晶爐電氣控制系統的控制下，使下轉電機正向、反向交替轉動，所述下轉電機帶動硅單晶按照設定的正向角度和反向角度轉動。本發明提高了太陽能級硅單晶的徑向均勻...該專利屬于天津市環歐半導體材料技術有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過天津市環歐半導體材料技術有限公司授權不得商用。
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