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本發明公開了一種方法，所述方法包括對封裝結構的焊區進行回流焊，以及在高于室溫的清理溫度下對所述封裝結構實施清理。在所述回流焊步驟與所述清理步驟之間，所述封裝結構未被冷卻到接近于所述室溫的溫度。本發明還公開了回流焊和清理集成工藝以及實施該工藝...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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