溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體電容及具有該半導(dǎo)體電容的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體電容包括：下電極板，該下電極板包括電容井區(qū)及設(shè)置于該電容井區(qū)上的擴(kuò)散區(qū)，該電容井區(qū)與該擴(kuò)散區(qū)均具有第一導(dǎo)電型，且該擴(kuò)散區(qū)的摻雜濃度高于該電容井區(qū)的摻雜濃度；絕緣層，該絕緣層...該專利屬于天鈺科技股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過天鈺科技股份有限公司授權(quán)不得商用。