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本實(shí)用新型提供一種區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，包括反射器主體，以及反射器主體上連接的氣體發(fā)射器，該氣體發(fā)射器包括銅質(zhì)鍍銀的環(huán)形管，環(huán)形管上開有數(shù)個(gè)氣孔，該環(huán)形管的兩端分別設(shè)有進(jìn)氣閥和泄壓閥。本實(shí)用新型對(duì)氣相摻雜源的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，氣體...該專利屬于有研半導(dǎo)體材料股份有限公司;國(guó)泰半導(dǎo)體材料有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過有研半導(dǎo)體材料股份有限公司;國(guó)泰半導(dǎo)體材料有限公司授權(quán)不得商用。