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本發明涉及用于在低溫形成石墨烯的方法，涉及用于直接轉移使用相同方法的石墨烯的方法，以及涉及石墨烯片材。用于在低溫形成石墨烯的所述方法包括供給含有碳源的氣體至在襯底上形成的用于生長石墨烯的金屬氧化劑層，并通過電感耦合等離子體化學氣相沉積（IC...該專利屬于成均館大學校產學協力團;三星泰科威株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過成均館大學校產學協力團;三星泰科威株式會社授權不得商用。