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本發(fā)明涉及一種源自單晶硅制成的供體襯底(1)的單晶硅薄層(3)的轉(zhuǎn)移方法，此種轉(zhuǎn)移方法包括：注入條件為使得薄層(3)的厚度小于10微米；以及用于將此薄層粘合到接收襯底的聚合物層(5)的厚度位于一個臨界閾值之下，此臨界閾值定義為注入的能量及劑...該專利屬于法國原子能源和替代能源委員會;法國國家科學(xué)研究中心所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過法國原子能源和替代能源委員會;法國國家科學(xué)研究中心授權(quán)不得商用。