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本發明涉及化學氣相沉積（CVD）反應器系統，其具有由反應室壁圍住的反應室，所述反應室壁的內表面被布置為朝向所述室的內部。至少一部分所述壁為朝向所述室的熱控層，并且所述熱控層由材料例如電解沉積的鎳構成，所述材料在300K下測得的發射系數為0....
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