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本發明可以在半導體加工操作過程中通過使用其上具有輻射屏蔽層的鐘罩提供或促進能量回收操作，所述輻射屏蔽層由配置在所述鐘罩的內表面上的含有鎳的中間層和配置在所述中間層上的可以包括金層的反射層構成。所述反射層具有小于5%的發射率，更優選地，所述反...
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