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本發明揭示了一種半導體器件的制造方法，通過在半導體器件的層間互連層上形成鋁層，并利用陽極電解的方法將鋁層的上部分區域形成具有垂向通孔的多孔氧化鋁，利用多孔氧化鋁作為硬掩膜，在所述層間互連層的介質層內形成氣腔間隙(Air?Gap)，從而減小介...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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本發明揭示了一種半導體器件的制造方法，通過在半導體器件的層間互連層上形成鋁層，并利用陽極電解的方法將鋁層的上部分區域形成具有垂向通孔的多孔氧化鋁，利用多孔氧化鋁作為硬掩膜，在所述層間互連層的介質層內形成氣腔間隙(Air?Gap)，從而減小介...