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本發明提供一種銅互連結構的制作方法，包括：提供半導體基底；在所述半導體基底上沉積覆蓋層；在所述覆蓋層上沉積電介質層；在所述電介質層上形成硬掩膜層；進行溝槽和/或接觸孔的刻蝕；去除所述硬掩膜層；在所述電介質層上以及溝槽和/或接觸孔內壁上沉積阻...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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