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本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，包括：提供晶圓，并對所述晶圓實施一退火處理；利用偏差適時補償工具對所述晶圓進行時序驗證，得到所述晶圓中的晶粒的電學特性分布圖；基于所述晶粒電學特性分布圖進行局部熱處理。根據(jù)本發(fā)明，可以改善在對晶圓中的晶粒...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權不得商用。