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本發明公開一種用于半導體固化的方法，包含下列步驟：將含有摻質的第一半導體材料構成的熔化半導體進行浸浴；將熔化半導體進行固化，并且另外包含，在固化過程中包括一或更多步驟，將亦含有摻質的補充性半導體材料添增至熔化半導體進行浸浴。本發明使在整個經...
該專利屬于法國原子能委員會所有，僅供學習研究參考，未經過法國原子能委員會授權不得商用。

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