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本發明公開了一種籽晶的制備方法，該方法包括如下步驟：S1：提供收容有原生多晶硅和電性摻雜劑的坩堝；S2：將所述坩堝放置于直拉單晶爐內進行拉制以獲得直徑為223-225mm的單晶圓棒；S3：將所述單晶圓棒經過截斷、剖方、以獲得單晶方棒，對所述...該專利屬于阿特斯（中國）投資有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過阿特斯（中國）投資有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司授權不得商用。