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本發(fā)明涉及一種成膜裝置和成膜方法。本發(fā)明的成膜裝置具有兩臺濺射蒸發(fā)源，該濺射蒸發(fā)源包括：非平衡磁場形成單元，該非平衡磁場形成單元由配備在內(nèi)側(cè)的內(nèi)極磁鐵和配備在該內(nèi)極磁鐵的外側(cè)且磁力線密度比內(nèi)極磁鐵大的外極磁鐵形成；以及靶，配備在非平衡磁場形...該專利屬于株式會社神戶制鋼所所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過株式會社神戶制鋼所授權(quán)不得商用。