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本實(shí)用新型提供一種外延缺陷分析結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底的一部分表面形成有外延生長區(qū)域，暴露出阻擋層保護(hù)區(qū)域保護(hù)的半導(dǎo)體襯底的另一部分表面；外延層，形成于外延生長區(qū)域上。本實(shí)用新型對外延缺陷分析結(jié)構(gòu)中的阻擋層保護(hù)區(qū)域所保護(hù)的半導(dǎo)體襯...該專利屬于杭州士蘭集成電路有限公司;成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過杭州士蘭集成電路有限公司;成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。