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本發明提供一種高速光電子設備及相關方法。在一個方面，例如，高速光電子設備可以包括具有入射光表面的硅材料、在硅材料中形成半導體結的第一摻雜區和第二摻雜區以及耦合到該硅材料并定位成與電磁輻射相互作用的紋理區。對于具有從大約800nm到大約120...
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