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即使在通過蒸鍍或升華來形成由多晶膜或多晶的層疊膜構成的檢測層的第一過程的中途不能再供給Cl(氯)，也會在第一過程的開始或過程的中途供給與源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的氣體)。可以從成膜初期直至結束時為止，對為CdTe(碲化鎘)、Z...該專利屬于株式會社島津制作所;獨立行政法人國立高等專門學校機構所有，僅供學習研究參考，未經過株式會社島津制作所;獨立行政法人國立高等專門學校機構授權不得商用。