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本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：在Cu隔離膜（100）上形成銅膜（101）的工序；在銅膜（101）上形成掩模件（102）的工序；將掩模件（102）用作掩模，將銅膜（101）各向異性地蝕刻至Cu隔離膜（100）露出的工序；和將掩模件（1...該專利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社授權(quán)不得商用。