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在作為被處理基板的硅基板上，形成碳氟化合物層(A)。在所形成的碳氟化合物層上形成抗蝕層(B)。然后，對抗蝕層進行利用光致抗蝕劑的曝光，以規定的形狀進行圖案化(C)。將以規定的形狀進行了圖案化的抗蝕層作為掩模，進行碳氟化合物層的蝕刻(D)。接...
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