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本發明公開了一種雙波長銻化物應變量子阱半導體激光器及其制備方法，該激光器由下至上依次包括n型電極、n型襯底、緩沖層、第一n型下限制層、第一下波導層、第一有源區、第一上波導層、第一p型上限制層、隧穿pn結、第二n型下限制層、第二下波導層、第二...
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