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本發(fā)明實(shí)施例公開了一種多值阻變存儲(chǔ)器及其制備方法。一種多值阻變存儲(chǔ)器，包括位于襯底上的下電極，位于所述下電極上的中間層，以及位于所述中間層上的上電極，其中，所述中間層包括至少兩層阻變層，相鄰兩阻變層之間通過中間電極層隔離，所述至少兩層阻變層...該專利屬于北京大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過北京大學(xué)授權(quán)不得商用。