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本發明公開了一種晶體硅背面點接觸的制備方法，包括如下步驟：1）對單晶硅片表面去除損傷層并形成織構化絨面結構；2）將制絨好的硅片插入石英舟中擴散形成PN結，在硅片的正面形成方塊電阻；3）去除硅片四周和背面的PN結，同時采用HF去粗擴散形成磷硅...該專利屬于浙江光普太陽能科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過浙江光普太陽能科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種晶體硅背面點接觸的制備方法，包括如下步驟：1）對單晶硅片表面去除損傷層并形成織構化絨面結構；2）將制絨好的硅片插入石英舟中擴散形成PN結，在硅片的正面形成方塊電阻；3）去除硅片四周和背面的PN結，同時采用HF去粗擴散形成磷硅...