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本發明公開了一種低表面濃度淺擴散結太陽電池的制備方法，包括如下步驟：(1)在制絨后的硅片受光面沉積一層阻擋層；所述阻擋層為微晶硅層；(2)將上述沉積后的硅片投入擴散爐進行擴散；(3)清洗去除上述阻擋層；(4)制備背極背場、印刷正電極、燒結；...該專利屬于蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司授權不得商用。
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