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一種單晶硅的氣相外延生長方法，屬于半導體制造領域，該方法可以有效解決單晶硅制作過程復雜和能耗較高的問題，包括以下步驟：a、提供可供預處理的基底；b、清洗；c、提供可供單晶硅外延生長的腔體，腔體內設有基底儲放裝置，并將基底放置于基底儲放裝置上...
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