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本發明涉及一種已做發射區推進的三極管小信號正向電流增益（hfe）的二次增大方法，包括下列步驟：測試晶圓上三極管的hfe；若hfe低于合格值，則對晶圓進行hfe的二次增大，具體包括：將晶圓置于擴散爐內，爐內環境為600～800攝氏度且通入保護...該專利屬于深圳深愛半導體股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過深圳深愛半導體股份有限公司授權不得商用。
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