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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造中的套刻誤差測量領(lǐng)域，具體涉及一種基于穆勒矩陣的納米結(jié)構(gòu)套刻誤差提取方法。本發(fā)明采用穆勒矩陣矩陣對角線上的M13和M31元素，或者M23和M32元素的線性組合分別直接擬合得到一條直線，利用該擬合直線可直接根據(jù)測量穆勒矩陣...該專利屬于華中科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過華中科技大學(xué)授權(quán)不得商用。