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本發明提供電阻率高并且電阻率變化率較小的p型硅單晶以及其制造方法。解決方法：制造p型硅單晶1的方法，包括以下步驟：制備硅熔體7，所述硅熔體中已加入作為主摻雜物的硼、為n型雜質且偏析系數比硼低的第一副摻雜物、以及為p型雜質且偏析系數比第一副摻...
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