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一種可變帶隙的Fe-B-Si三元半導體非晶薄膜及其制備方法，屬半導體材料技術領域。這種薄膜材料具有如下通式：Fe3B1Six，x為4.8~18；隨著x從4.8增加到18，帶隙寬度從0.66eV減小到0.60eV，薄膜結構均為非晶態。該薄膜有...
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