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本發明公開了一種能夠提高雪崩耐量能力的超結器件結構，包括超結器件的元胞區域、終端，終端設置于元胞區域的外圍；在超結器件的元胞區域中，元胞溝槽的頂層覆蓋有元胞體注入區，多塊元胞N型離子注入區覆蓋于元胞體注入區內的部分區域；元胞N型離子注入區的...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種能夠提高雪崩耐量能力的超結器件結構，包括超結器件的元胞區域、終端，終端設置于元胞區域的外圍；在超結器件的元胞區域中，元胞溝槽的頂層覆蓋有元胞體注入區，多塊元胞N型離子注入區覆蓋于元胞體注入區內的部分區域；元胞N型離子注入區的...