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一種適用于閃存儲存裝置的不良儲存區(qū)域的判定方法，包括下列步驟：首先，對閃存芯片下達寫入指令，以將寫入數(shù)據(jù)寫入指定儲存分頁；當閃存芯片開始對指定儲存分頁寫入數(shù)據(jù)時，取得第一時間；當閃存芯片完成指定儲存分頁的數(shù)據(jù)寫入時，取得第二時間；根據(jù)第一時...該專利屬于威剛科技(蘇州)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過威剛科技(蘇州)有限公司授權不得商用。