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本發(fā)明提供一種交叉點(diǎn)型非易失性存儲裝置，能夠抑制由于潛行電流而引起的存儲單元中包含的存儲元件的電阻值的檢測靈敏度低下。交叉點(diǎn)型非易失性存儲裝置具有：多個(gè)位線，與多個(gè)字線垂直；由存儲單元構(gòu)成的交叉點(diǎn)單元陣列（1），根據(jù)在其立體交差點(diǎn)配置的電信...該專利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社授權(quán)不得商用。