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本發明涉及一種雙面外延生長GaAs三結太陽能電池的制備方法,包括在GaAs襯底一面依次外延生長GaAs緩沖層Inx(AlyGa1-y)1-xAs漸變層和第一結InxGa1-xAs電池;在GaAs襯底另一面依次外延生長GaAs緩沖層、第一隧穿...該專利屬于天津藍天太陽科技有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所所有,僅供學習研究參考,未經過天津藍天太陽科技有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所授權不得商用。