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本發明公開了一種CMOS電路結構、其制備方法及顯示裝置，在CMOS電路結構中PMOS區域為LTPS?TFT結構，即使用P型摻雜多晶硅材料制備PMOS半導體層，NMOS區域為Oxide?TFT結構，即使用氧化物材料制備NMOS半導體層，在NM...該專利屬于京東方科技集團股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過京東方科技集團股份有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種CMOS電路結構、其制備方法及顯示裝置，在CMOS電路結構中PMOS區域為LTPS?TFT結構，即使用P型摻雜多晶硅材料制備PMOS半導體層，NMOS區域為Oxide?TFT結構，即使用氧化物材料制備NMOS半導體層，在NM...