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一種NMOS晶體管形成方法，包括：提供半導體襯底；在所述半導體襯底表面形成氧化層，在所述氧化層表面形成多晶硅層；對所述半導體襯底進行第一離子注入，所述注入的離子為氟離子和氮離子；對所述多晶硅層和氧化層進行刻蝕，分別形成柵電極和柵氧化層，在所...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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一種NMOS晶體管形成方法，包括：提供半導體襯底；在所述半導體襯底表面形成氧化層，在所述氧化層表面形成多晶硅層；對所述半導體襯底進行第一離子注入，所述注入的離子為氟離子和氮離子；對所述多晶硅層和氧化層進行刻蝕，分別形成柵電極和柵氧化層，在所...