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本發(fā)明涉及一種弱變形紅外焦平面探測器，主要由光敏元陣列芯片（3）和硅讀出電路（1）通過銦柱陣列（2）互聯(lián)混成，硅讀出電路（1）的厚度為20μm～60μm，紅外面陣探測器中光敏元陣列（3）規(guī)模不小于128×128。本發(fā)明能夠降低了器件在熱沖擊...該專利屬于河南科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過河南科技大學授權不得商用。
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本發(fā)明涉及一種弱變形紅外焦平面探測器，主要由光敏元陣列芯片（3）和硅讀出電路（1）通過銦柱陣列（2）互聯(lián)混成，硅讀出電路（1）的厚度為20μm～60μm，紅外面陣探測器中光敏元陣列（3）規(guī)模不小于128×128。本發(fā)明能夠降低了器件在熱沖擊...