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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體硅片的熱處理工藝，包括如下步驟：（1）將熱處理爐內(nèi)溫度穩(wěn)定在640℃～660℃；（2）熱處理爐內(nèi)通入高純氬氣并將熱處理爐內(nèi)溫度穩(wěn)定在640℃～660℃；（3）將半導(dǎo)體硅片整齊水平放入石英舟；（4）打開熱處理爐，將承載半...該專利屬于孫新利所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過孫新利授權(quán)不得商用。