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本發(fā)明涉及一種Cu-Mn合金濺射靶材、使用其的薄膜晶體管配線以及薄膜晶體管。本發(fā)明的課題在于形成具有高阻擋性的Cu-Mn合金膜。作為解決本發(fā)明的方法是，一種在半導體元件的配線的形成中所使用的Cu-Mn合金濺射靶材(10)，其由含有濃度為8原...該專利屬于日立電線株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過日立電線株式會社授權不得商用。
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本發(fā)明涉及一種Cu-Mn合金濺射靶材、使用其的薄膜晶體管配線以及薄膜晶體管。本發(fā)明的課題在于形成具有高阻擋性的Cu-Mn合金膜。作為解決本發(fā)明的方法是，一種在半導體元件的配線的形成中所使用的Cu-Mn合金濺射靶材(10)，其由含有濃度為8原...