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本實用新型提供一種光半導體裝置，該光半導體裝置包括：導電性半導體襯底、在上述導電性半導體襯底上形成的光吸收層、和在上述光吸收層上形成的導電性半導體層，其特征在于：上述導電性半導體層通過具有多個與上述導電性半導體襯底相反的導電類型的擴散區，而...該專利屬于NTT電子股份有限公司;日本電信電話株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過NTT電子股份有限公司;日本電信電話株式會社授權不得商用。