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本發明公開一種圖案形成方法、掩模圖案形成方法和半導體器件制造方法，涉及半導體工藝技術領域。該圖案形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中構成嵌段共聚物的組分彼此之間不混溶；通過壓模壓印聚合物薄膜形成第一圖案；對第...該專利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種圖案形成方法、掩模圖案形成方法和半導體器件制造方法，涉及半導體工藝技術領域。該圖案形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中構成嵌段共聚物的組分彼此之間不混溶；通過壓模壓印聚合物薄膜形成第一圖案；對第...