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本發(fā)明公開了一種硼鎵共摻的重摻P型單晶硅的生長及摻雜方法，包括如下步驟：（1）清潔；（2）將準(zhǔn)備好的多晶硅及摻雜硼粉放入石英坩堝中；（3）用氬氣多次沖洗單晶爐并抽真空；（4）開啟加熱器進行加溫熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下調(diào)加熱器功...該專利屬于孫新利所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過孫新利授權(quán)不得商用。