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本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件外延生長(zhǎng)的隱形結(jié)構(gòu)襯底，解決目前存在的外延生長(zhǎng)中應(yīng)力場(chǎng)問(wèn)題。本發(fā)明在Si、藍(lán)寶石、SiC的III-V或者II-VI半導(dǎo)體器件襯底，對(duì)常規(guī)襯底進(jìn)行定位定點(diǎn)地處理，對(duì)外延襯底或者外延結(jié)構(gòu)層的物理化學(xué)性能進(jìn)行處理和改善，...該專(zhuān)利屬于東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。