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本發明提供了一種多晶硅錠的晶體生長方法。該晶體生長方法包括加熱階段、熔化階段、生長階段、退火階段和冷卻階段，其中，在生長階段，從生長開始時至透頂完成時，將多晶鑄錠的頂部中央區域溫度維持在恒定值。本發明的晶體生長方法能夠減小多晶硅錠生長過程中...
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