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本發明涉及多循環快速熱退火晶化非晶硅薄膜的方法，屬于多晶硅薄膜制備工藝技術領域。用氣相沉積法在普通玻璃載片襯底上沉積非晶硅薄膜；隨后進行快速熱處理，升溫速率在150-200℃/s左右，將薄膜樣品從室溫升至640℃后再恒溫一段時間，然后自然冷...
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