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本發明提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驅體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應副產物；2）向...該專利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海微系統與信息技術研究所授權不得商用。
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本發明提供一種制備鈦-銻-碲相變材料的方法及相變存儲單元制備方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驅體SbCl3脈沖，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驅體(R3Si)2Te脈沖，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反應副產物；2）向...