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本發(fā)明涉及一種BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非線性光學(xué)晶體及制法和用途；該BaGa2GeSe6化合物采用固相反應(yīng)制備；BaGa2GeSe6非線性光學(xué)晶體采用高溫熔體自發(fā)結(jié)晶法或坩堝下降法生長；在該BaGa2GeSe6非線性...該專利屬于中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所授權(quán)不得商用。