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本發明涉及Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金濺射靶，所述Cu－Ga合金含有質量百分比25～30%的Ga，且余量為Cu，所述Cu－Ga合金的特征在于，通過電子顯微鏡得到的組織圖像上所呈現出的、Ga濃度為質量百分比30～35%的相即γ相的平均等效...
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