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本發(fā)明公開一種超薄氧化層的激光處理生長方法，為解決現(xiàn)有超薄氧化層生長厚度難以精確控制等問題而發(fā)明。本發(fā)明超薄氧化層的激光處理生長方法為在硅片的淺表面引入氧化劑后對該硅片進行激光照射，通過激光給能促使化學反應發(fā)生而形成超薄氧化層。氧化劑的引入...該專利屬于清華大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過清華大學授權(quán)不得商用。