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本發(fā)明涉及一種二維電子材料裝置及其混合光刻方法，方法包括：在襯底上形成至少一層引線金屬層并對(duì)至少一層引線金屬層進(jìn)行光學(xué)光刻，以形成至少一層引線圖形，最上層包括多個(gè)上層引線，柵、源、漏電極圖形分別與一個(gè)上層引線相連；形成電極金屬層；對(duì)電極金屬...該專(zhuān)利屬于清華大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)清華大學(xué)授權(quán)不得商用。